蔣成濤的個人簡歷 
更新日期：2025-07-17 學歷：博士 工作經(jīng)驗：10年以上 瀏覽：6次
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蔣成濤的個人簡歷
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| 基本信息 | ||||
| 真實姓名： | 蔣成濤 | 性別： | 男 | |
| 年齡： | 43 歲 | 身高： | 172CM | |
| 婚姻狀況： | 未婚 | 戶籍所在： | 江蘇省鎮(zhèn)江市 | |
| 最高學歷： | 博士 | 現(xiàn)有職稱： | ||
| 聯(lián)系地址： | 江蘇省鎮(zhèn)江市丁卯橋路美意家園2棟401 | 工作經(jīng)驗： | 10年以上 | |
| 刷新時間： | 2025-07-17 | 有效期至： | 2025-09-25 | |
| 求職意向 | |||||
| 期望工作地點： | 江蘇，浙江，上海，廣東，北京 | 期望崗位性質： | 全職 | 期望月薪： | 1萬以上元/月 |
| 期望從事的崗位： | 教學管理人員 大學教授/教師 學術骨干 高等教育 講師/助教 | ||||
| 期望從事的行業(yè)： | 院校/高等教育 學術科研/院所 通信(設備/運營/增值服務) 電子技術/半導體/集成電路 航天/航空 | ||||
| 教育經(jīng)歷 | |||||
| 最高學歷： | 博士 | 畢業(yè)學校： | 南京大學 | 所學專業(yè)： | 電子科學與技術 |
| 教育背景： | 2015.9–2022.6 博士 南京大學 電子科學與技術 2008.9–2011.7 碩士，江蘇大學，材料學 2004.9–2008.7 學士，齊齊哈爾大學，無機非金屬材料 |
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| 技能特長與工作經(jīng)驗 | |||||
| 外語語種： | 英語 | 語種水平： | 熟練 | 電腦水平： | 精通 |
| 技能描述： | 具有 15 年半導體微納器件設計和制備經(jīng)驗、8年以上天線設計和光學仿真經(jīng)驗，并熟練掌握各種材料特性分析方法。精通HFSS，CST，COMSOL，Ansys Lumerical， AUTO CAD，Solidworks，origin 和 matlab 等軟件，對光模塊和光芯片測試及光耦合封裝比較熟悉，特別是對各種微納加工設備、mems工藝、探測器器件、射頻天線、無源濾波器等比較精通，曾參與完成多項國 | ||||
| 工作經(jīng)歷： | 2022.7-2025.4 無錫芯光互連技術研究院 前沿技術研究 負責光子毫米波/太赫茲無線收發(fā)芯片的設計及封裝：設計了基于光學差頻技術的太赫茲輻射源、太赫茲探測器芯片及器件封裝結構，并根據(jù)太赫茲的頻率特性設計了相應的平面天線及喇叭天線來提高太赫茲源功率和探測器的靈敏度； 設計了調制耦合器芯片，PIN-PD光電探測器與天線集成一體的毫米波/太赫茲波收發(fā)芯片； 搭建了光子毫米波/太赫茲無線通信系統(tǒng)鏈路，驗證了光電封裝后的自研收發(fā)芯片的性能，并實現(xiàn)了光子無線（光-電-無線）通信系統(tǒng)中數(shù)據(jù)傳輸鏈路的演示實驗； 根據(jù)光子太赫茲無線通信系統(tǒng)鏈路特點，研究太赫茲無線通信集成化方案和設計方法，參考光模塊集成技術將激光器、調制器、耦合器、半導體光放大器等器件與太赫茲收發(fā)芯片集成到一起，設計了一種光子無線收發(fā)系統(tǒng)集成模塊。 同時也掌握了有源無源芯片的設計原理及光模塊結構和工作原理，熟悉光耦合及封裝技術。 利用光耦合平臺對有源及無源光芯片進行性能表征，針對高速調制器（≧50GHz）和光電探測器（≧25GHz）的直流和交流性能搭建測試系統(tǒng)對其進行性能測試，測試光芯片的插損、調制器帶寬，光眼圖以及光電探測器的響應率、暗電流和帶寬等。 2013.04-2022.7 南京大學超導電學研究所 科研助理 管理超導所內的相關半導體設備，負責維修及工藝調試。包括直流及射頻磁控濺射儀器，PECVD，RIE， ICP，光刻機，臺階儀，紅外光譜儀，綁線機，電子束蒸發(fā)，電子束光刻機等； 負責超導NbN 薄膜及常溫 Nb5N6 薄膜的制備，工藝優(yōu)化及薄膜性能表征等。表征薄膜常用的設備有XRD，SEM，TEM，XPS，AFM，超導薄膜 TC 及常溫薄膜 TCR 的四端子液氦測試系統(tǒng)等。 期間參與多個軍工類的常溫太赫茲探測器項目，包含單像元，線陣及面陣太赫茲陣列探測器的設計， 制備及性能表征。 搭建了太赫茲成像系統(tǒng)，實現(xiàn)了單像元及陣列探測器的太赫茲成像驗證。單像元實現(xiàn)了多個復雜物體的太赫茲成像實驗，包括多根金屬柱，刀片，樹葉及門禁卡等。面陣采用與 CMOS 讀出電路通過倒裝互連的方式實現(xiàn)了太赫茲光斑的實時信號測量。 設計了各種太赫茲天線結構，并將其應用到太赫茲探測器中來提高器件的性能。 通過多物理場電磁仿真設計了懸浮的薄膜微橋結構來降低薄膜的熱傳導，極大提高了探測器的響應率。 2011.07-2013.03 南通清華同方半導體有限公司 研發(fā)工程師 LED芯片全流程工藝開發(fā)和整合，及熟悉全流程設備及使用。 大功率高亮度 LED 芯片設計及驗證，如高壓芯片和倒裝芯片等，并對整個 GaN 外延的生長過程有一定程度的了解； 負責新工藝的開發(fā)和導入（市場調研-設計-驗證-導入生產-工藝穩(wěn)定性跟蹤-穩(wěn)定生產），并完成開發(fā)相關文件及報告的撰寫，制定生產規(guī)范文件等； 根據(jù)銷售部門反饋的信息，開發(fā)用于市場需求的新產品，并協(xié)助銷售部門送樣，進一步反饋后量化生產， 制作新產品開發(fā)書，協(xié)助工程部編寫 SOP 文件； |
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| 自我評價 |
| 精通相關半導體工藝及設備等，包括直流及射頻磁控濺射儀器，PECVD，RIE， ICP，光刻機，臺階儀，紅外光譜儀，綁線機，電子束蒸發(fā)，電子束光刻機等； 負責超導NbN 薄膜及常溫 Nb5N6 薄膜的制備，工藝優(yōu)化及薄膜性能表征等。表征薄膜常用的設備有XRD，SEM，TEM，XPS，AFM，超導薄膜 TC 及常溫薄膜 TCR 的四端子液氦測試系統(tǒng)等。 對半導體有源 |
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